未来可取代三种存储类型的完美内存已获得非常早期的原型

工研院(ITRI)与台积电(TSMC)宣布研发SOT-MRAM(自旋轨道力矩磁性随机存取存储器)阵列，这是2022年首次公布的联合开发计划的成果。

新型SOT-MRAM被誉为STT-MRAM(自旋转移力矩MRAM)的潜在替代品，可用于内存架构中的计算，以及作为度最后一级嵌入式缓存应用的替代方案。它仅需其前代产品所消耗的1%的运行电量，而且据说比DRAM更快。

工研院与台积电在2023年IEE国际电子设备会议(IEDM2023)上发表了关于该微电子元件的新研究论文。

工研院电子与光电系统研究室主任张世杰博士表示：“继去年在超大规模集成电路技术与电路研讨会上发表合作论文后，我们再度合作开发SOT-MRAM单元，此单元可同时实现低功耗与高速运算，运算速度最快可达10纳秒，并结合内存电路设计中的运算，整体运算效能可进一步提升，展望未来此技术将可应用于高效能运算(HPC)、人工智能、车用等更多领域。”

人工智能、5G和AIoT的兴起刺激了对更快处理速度和新型内存解决方案的需求，这些解决方案可提供卓越的速度、稳定性和能效。这一突破可能为下一代内存技术铺平道路，但也存在一些问题。

正如Tom'sHardware指出的那样，“虽然SOT-MRAM的待机功耗低于SRAM，但写入操作需要大电流，因此其动态功耗仍然很高。此外，SOT-MRAM单元仍然比SRAM单元更大，而且更难制造。因此，虽然SOT-MRAM技术看起来很有前景，但它不太可能在短期内取代SRAM。然而，对于内存计算应用来说，SOT-MRAM可能很有意义，即使不是现在，但当台积电学会如何以经济高效的方式制造SOT-MRAM时，它也会很有意义。”