三星将于下季度收购首台高数值孔径EUV预计2025年底实现商业化应用

如今，使用高NA设备已被视为制造商的“高级”产品，我们最近报道了英特尔如何成功购买五到六套ASML高NA极紫外(EUV)光刻设备，以及在三大半导体公司(台积电、英特尔和三星)中，这家韩国巨头是最后一个从ASML获得下一代EUV光刻工具的公司。根据Sedaily的报道，三星预计将在下个季度或2025年初收到该设备，与其他半导体公司并驾齐驱。

韩国媒体报道称，三星将获得ASML的TwinscanEXE:5000高数值孔径光刻设备，该设备分辨率为8nm，EUV光波长为13.5nm。该系统将使制造商能够生产出尺寸缩小1.7倍的，晶体管密度将提高2.9倍。ASML表示，TwinscanEXE:5000拥有业内最高的生产率，随着这家韩国巨头获得该设备，我们可以肯定地说，我们可以期待该公司的半导体生态系统得到显著改善。

据称，三星计划在其研发中心华城园区安装首批高NA设备，但至于何时可以期待先进光刻工具的商业化应用，目前尚不确定，因为安装此类设备有其自身的复杂性，但我们可以预计，到2025年底，高NA设备的利用率将不足，因为三星在此过程中不会遇到任何障碍。

随着英特尔、台积电和三星开始使用High-NA，半导体市场从此将增长是肯定的，据我们所知，英特尔计划在其14A节点上使用High-NA，而台积电可能会在其2nm级节点中使用High-NA。对于三星来说，目前尚未得到证实，但我们预计这家韩国巨头将遵循行业标准，这让我们相信第一代2nm工艺可能会使用High-NA。