报道称AMD和三星将联手开发先进的3纳米

半导体行业本月谣言四起，韩国最新报道称，AMD可能与三星合作，获得后者的3纳米半导体制造工艺技术。三星和台积电是全球仅有的两家拥有可供AMD和NVIDIA等公司使用的现成生产线的公司。它们的最新工艺是3纳米节点，虽然名称相似，但晶体管的设计却不同。台积电计划在其未来工艺中使用纳米片晶体管，其产品依靠可靠的FinFET设置。

相比之下，三星为客户提供使用新型栅极场效应晶体管(GAAFET)的能力，这使得设计人员能够改善其产品内部的电流，但也存在一些缺点。

AMD首席执行官LisaSu分享在公司上使用先进晶体管设计的好处

据韩国经济日报报道，三星和AMD有望深化合作，生产采用3纳米工艺技术的下一代。目前，采用该技术生产的还不适用于大多数个人电脑，因为只有苹果的Mac系列使用台积电生产的。

三星的3纳米与台积电的不同之处在于它使用了全栅(GAAFET)晶体管。GAAFET是一种基于FinFET的升级版晶体管设计，它允许设计人员改善电流，因为这种改进使得晶体管的通道可以完全被栅极包围。

GAAFET晶体管使用纳米线或纳米片来导电。这些晶体管使用纳米线或纳米片时，存在一些权衡。虽然纳米线可以提高效率，但其面积较小，限制了它们只能用于某些产品，例如应用处理器。另一方面，纳米片允许更多电流通过，但代价是导电效率会降低。

报道援引了AMD首席执行官苏姿丰在最近于比利时举行的一次会议上分享GAAFET晶体管相对于FinFET的优势的言论，以此证明两家公司有意深化合作。据《韩国经济日报》报道，苏姿丰分享了其公司计划批量生产采用环绕栅极技术的AMD下一代产品。

由于三星是全球唯一一家生产3纳米GAAFET产品的公司，分析师将苏的言论视为这家韩国公司生产AMD新的线索。据《每日新闻》报道，苏还认为3纳米GAAFET比以前的技术具有性能和效率优势。

当前半导体代工行业的动态是三星、英特尔和台积电之间的对立。台积电在市场上占据主导地位，而它的两个规模可观的竞争对手正忙于采用新技术，以确保在与实力雄厚的竞争对手的竞争中占据优势。

英特尔正在研究一种名为HighNAEUV的先进制造设备，看看它能否降低制造成本和复杂性。另一方面，三星不仅比台积电更早开始3纳米生产，而且还试图通过在其产品路线图中更早地推出先进的GAAFET晶体管来从台积电手中夺取3纳米产品的市场份额。

另一方面，台积电强调，它可以使用传统的EUV机器制造多年，并宣布将利用其2纳米工艺转向纳米片晶体管。全栅极晶体管也是特征尺寸较小的结果，因为这些晶体管越小，制造商就越难以制造FinFET。